Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 53 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 217-2580
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,549 € | 41,18 € |
| 150 - 300 | 0,478 € | 35,85 € |
| 375 - 675 | 0,445 € | 33,38 € |
| 750 - 1800 | 0,412 € | 30,90 € |
| 1875 + | 0,39 € | 29,25 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2580
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.82mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.82mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.4 mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.
Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
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