Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 5.7 A 17.6 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 220-7445
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
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| 625 - 1225 | 0,289 € | 7,23 € |
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- 220-7445
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- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 17.6W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.38 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 17.6W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.38 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.1mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen im Verbrauchermarkt wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen, schaltenden Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.
Extrem niedrige Verluste durch geringe FOMRDS(on) * Qgand RDS(on) * Eoss
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Produktvalidationa cc.JEDEC-Standard
Kostengünstige Technologie
Niedrigere Temperatur
Hohe ES-Robustheit
Ermöglicht höhere Schaltfrequenzen durch höhere Effizienz im Gainsat
Enableshighpowerdensdesignsandsmallformfaktoren
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