Infineon CoolMOS™ P7 IPSA70R2K0P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 700 V / 5,7 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 220-7444
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer Stange von 75)
0,458 €
(ohne MwSt.)
0,545 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
---|---|---|
75 - 75 | 0,458 € | 34,35 € |
150 - 300 | 0,39 € | 29,25 € |
375 - 675 | 0,362 € | 27,15 € |
750 - 1800 | 0,339 € | 25,425 € |
1875 + | 0,312 € | 23,40 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 220-7444
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen im Verbrauchermarkt wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen, schaltenden Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.
Extrem niedrige Verluste durch geringe FOMRDS(on) * Qgand RDS(on) * Eoss
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Produktvalidationa cc.JEDEC-Standard
Kostengünstige Technologie
Niedrigere Temperatur
Hohe ES-Robustheit
Ermöglicht höhere Schaltfrequenzen durch höhere Effizienz im Gainsat
Enableshighpowerdensdesignsandsmallformfaktoren
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Produktvalidationa cc.JEDEC-Standard
Kostengünstige Technologie
Niedrigere Temperatur
Hohe ES-Robustheit
Ermöglicht höhere Schaltfrequenzen durch höhere Effizienz im Gainsat
Enableshighpowerdensdesignsandsmallformfaktoren
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 5,7 A |
Drain-Source-Spannung max. | 700 V |
Gehäusegröße | IPAK (TO-251) |
Serie | CoolMOS™ P7 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 2 O |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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