Infineon CoolMOS™ P7 IPS70R360P7SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)
- RS Best.-Nr.:
- 217-2581
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Preis pro Stück (In einer VPE à 20)
0,599 €
(ohne MwSt.)
0,713 €
(inkl. MwSt.)
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
20 - 80 | 0,599 € | 11,98 € |
100 - 180 | 0,521 € | 10,42 € |
200 - 480 | 0,485 € | 9,70 € |
500 - 980 | 0,449 € | 8,98 € |
1000 + | 0,419 € | 8,38 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 217-2581
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.
Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 12,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 700 V |
Serie | CoolMOS™ P7 |
Gehäusegröße | IPAK SL (TO-251 SL) |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 360 mO |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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