Wartung der Website - 21. - 23. Juni 2024

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Infineon CoolMOS™ P7 IPA60R180P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP

RS Best.-Nr.:: 214-8995
Herst. Teile-Nr.:: IPA60R180P7SXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ P7 IPA60R180P7SXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin TO-220 FP

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

1,311 €

(ohne MwSt.)

1,56 €

(inkl. MwSt.)

2000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	1,311 €	65,55 €
100 - 200	1,062 €	53,10 €
250 - 450	0,983 €	49,15 €
500 - 950	0,918 €	45,90 €
1000 +	0,852 €	42,60 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 214-8995
Herst. Teile-Nr.:: IPA60R180P7SXKSA1
Marke:: Infineon

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - IPA60R180P7SXKSA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Infineon CoolMOS 7. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 600-V-CoolMOS-P7-Serie ist der Nachfolger der CoolMOS-P6-Serie. Er kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFET mit ausgezeichneter Benutzerfreundlichkeit, z. B. sehr niedriger Klingelneigung, hervorragender Robustheit der Gehäusediode gegen harte Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter und viel kühler.

Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte
Geeignet für hartes und weiches Schalten aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	18 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	CoolMOS™ P7
Gehäusegröße	TO-220 FP
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,18 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si