Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 77 W, 4-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 222-4683
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R185C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 185mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 77W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 185mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 77W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
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