Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 122 W, 5-Pin VSON

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RS Best.-Nr.:
214-9070
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R104C7AUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

VSON

Serie

CoolMOS C7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

104mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

122W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

8.1mm

Breite

8.1 mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für harte und weiche Schaltfunktionen geeignet. Es kommt mit Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte aufgrund kleinerer Gehäuse. Es enthält optimierte Leiterplattenmontage und Layoutlösungen.

Geeignet für hartes und weiches Schalten

SMD-Gehäuse mit sehr geringer parasitärer Induktivität für einfaches Gerät Steuerung

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