Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 122 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9069
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R104C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPL60R104C7AUMA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 104mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 122W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 104mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 122W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für harte und weiche Schaltfunktionen geeignet. Es kommt mit Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte aufgrund kleinerer Gehäuse. Es enthält optimierte Leiterplattenmontage und Layoutlösungen.
Geeignet für hartes und weiches Schalten
SMD-Gehäuse mit sehr geringer parasitärer Induktivität für einfaches Gerät Steuerung
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