Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 67 W, 4-Pin PG-VSON-4

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RS Best.-Nr.:
273-5349
Herst. Teile-Nr.:
IPL65R230C7AUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

PG-VSON-4

Serie

CoolMOS C7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.23Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Verlustleistung Pd

67W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC(J-STD20 andJESD22)

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon wurde mit revolutionärer CoolMOSTM-Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs gebaut. Er wurde nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt. Die Serie CoolMOSTM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Anbieters mit hochwertiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von Hochgeschwindigkeits-Super-Junction-MOSFETs mit besserer Effizienz, reduzierter Gate-Ladung, einfacher Implementierung und hervorragender Zuverlässigkeit.

Halogenfrei

Besserer Wirkungsgrad

Bleifreie Kabelbeschichtung

Hohe Leistungsdichte

Bessere Kontrolle des Gates

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