Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 21 A 128 W, 4-Pin PG-VSON-4

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RS Best.-Nr.:
273-2790
Herst. Teile-Nr.:
IPL65R099C7AUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

IPL

Gehäusegröße

PG-VSON-4

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Verlustleistung Pd

128W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC (J-STD20 and JESD22)

Der MOSFET von Infineon ist ein Leistungstransistor der Serie CoolMOS C7 mit 650 V. CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies vorangetrieben wurde. Bei der Serie CoolMOS C7 wird die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Anbieters mit erstklassiger Innovation kombiniert. Das Produktportfolio vereint alle Vorteile schnell schaltender Super-Junction-MOSFETs mit besserem Wirkungsgrad, reduzierter Gate-Ladung, einfacher Implementierung und herausragender Zuverlässigkeit.

Bleifreie Beschichtung

RoHS-konform

Geringere Schaltverluste

Erhöhung der Leistungsdichte

Ermöglichung höherer Frequenzen

Halogenfreie Formmasse

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