Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 21 A 128 W, 4-Pin PG-VSON-4

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

6,23 €

(ohne MwSt.)

7,41 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Auf Lager
  • 88 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 496,23 €
50 - 994,84 €
100 - 2494,45 €
250 - 9994,19 €
1000 +3,54 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-2790
Herst. Teile-Nr.:
IPL65R099C7AUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

PG-VSON-4

Serie

IPL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Maximale Verlustleistung Pd

128W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC (J-STD20 and JESD22)

Der MOSFET von Infineon ist ein Leistungstransistor der Serie CoolMOS C7 mit 650 V. CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies vorangetrieben wurde. Bei der Serie CoolMOS C7 wird die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Anbieters mit erstklassiger Innovation kombiniert. Das Produktportfolio vereint alle Vorteile schnell schaltender Super-Junction-MOSFETs mit besserem Wirkungsgrad, reduzierter Gate-Ladung, einfacher Implementierung und herausragender Zuverlässigkeit.

Bleifreie Beschichtung

RoHS-konform

Geringere Schaltverluste

Erhöhung der Leistungsdichte

Ermöglichung höherer Frequenzen

Halogenfreie Formmasse

Verwandte Links