Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 30 A 89.3 W, 5-Pin ThinPAK
- RS Best.-Nr.:
- 220-7434
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R360P6SATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | ThinPAK | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89.3W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.1mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße ThinPAK | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89.3W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.1mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das neue Cool MOS Thin PAK 5x6 von Infineon ist ein bleifreies SMD-Gehäuse, das speziell für Hochspannungs-MOSFETs entwickelt wurde. Dieses neue Gehäuse hat eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm 2 und ein sehr flaches Profil mit nur 1 mm Höhe. Diese deutlich kleinere Gehäusegröße in Kombination mit ihren niedrigen parasitären Referenzinduktivitäten kann als neue und effektive Möglichkeit zur Verringerung der Systemlösungsgröße in leistungsdichten Designs verwendet werden. Das Thin PAK 5x6-Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr niedrige Quellinduktivität von 1,6 nH sowie eine ähnliche thermische Leistung wie DPAK aus. Das Gehäuse ermöglicht somit ein schnelleres und somit effizienteres Schalten von Leistungs-MOSFETs und ist in Bezug auf Schaltverhalten und elektromagnetische Störungen leichter zu handhaben.
Extrem niedrige Verluste durch sehr geringe FOMRDSON * Qg und Eoss
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC
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