Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 85 W, 5-Pin ThinPAK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

12,24 €

(ohne MwSt.)

14,565 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +2,448 €12,24 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
215-2522
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R185CFD7AUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

600V CoolMOS CFD7

Gehäusegröße

ThinPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

185mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

85W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.1 mm

Höhe

8.1mm

Länge

8.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V Cool MOS TM CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS7-Serie kompletzt. Cool MOS TM CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.

Ultraschnelle Gehäusediode

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit

Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss

Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen

Verwandte Links