Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 109 A 278 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 220-7457
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R099P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 109A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 109A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Cool MOS P6 Super Junction MOSFET-Familie von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. Cool MOS P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf ultimative Leistung konzentrieren, und solchen, die sich mehr auf Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.
Geringere Gate-Ladung (Q g)
Höhere V des
Gute Robustheit der Gehäusediode
Optimierte integrierte R g.
Verbesserte dv/dt von 50 V/ns
Cool MOS TM-Qualität mit über 12 Jahren Fertigungserfahrung in Super-Junction-Technologie
Verbesserte Effizienz, insbesondere bei geringer Last
Bessere Effizienz in weichen Schaltanwendungen durch frühere Abschaltung
Geeignet für hart- und Soft-Switching-Topologien
Optimierte Balance zwischen Effizienz und Benutzerfreundlichkeit und guter Leistung Steuerbarkeit des Schaltverhaltens
Hohe Robustheit und bessere Effizienz
Hervorragende Qualität und Zuverlässigkeit
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