Infineon CoolMOS™ P6 IPW60R099P6XKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247

Die Cool MOS P6 Super Junction MOSFET-Familie von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. Cool MOS P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf ultimative Leistung konzentrieren, und solchen, die sich mehr auf Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.

Geringere Gate-Ladung (Q g)
Höhere V des
Gute Robustheit der Gehäusediode
Optimierte integrierte R g.
Verbesserte dv/dt von 50 V/ns
Cool MOS TM-Qualität mit über 12 Jahren Fertigungserfahrung in Super-Junction-Technologie
Verbesserte Effizienz, insbesondere bei geringer Last
Bessere Effizienz in weichen Schaltanwendungen durch frühere Abschaltung
Geeignet für hart- und Soft-Switching-Topologien
Optimierte Balance zwischen Effizienz und Benutzerfreundlichkeit und guter Leistung Steuerbarkeit des Schaltverhaltens
Hohe Robustheit und bessere Effizienz
Hervorragende Qualität und Zuverlässigkeit