STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 168-6701
Herst. Teile-Nr.:: STD3NK80Z-1
Marke:: STMicroelectronics

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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Preis pro Stück (In einer Stange von 75)

1,38 €

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Stück	Pro Stück	Pro Stange*
75 - 75	1,38 €	103,50 €
150 +	1,298 €	97,35 €

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RS Best.-Nr.:: 168-6701
Herst. Teile-Nr.:: STD3NK80Z-1
Marke:: STMicroelectronics

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	2,5 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Serie	MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4,5 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	70 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	2.4mm
Länge	6.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	19 nC @ 10 V
Höhe	6.2mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STD3NK80Z-1 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,5 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

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