STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STU2NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 1,85 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 761-0238
Herst. Teile-Nr.:: STU2NK100Z
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STU2NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 1,85 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

2,992 €

(ohne MwSt.)

3,56 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 5	2,992 €	14,96 €
10 - 95	2,548 €	12,74 €
100 - 495	1,986 €	9,93 €
500 - 995	1,686 €	8,43 €
1000 +	1,406 €	7,03 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 761-0238
Herst. Teile-Nr.:: STU2NK100Z
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1,85 A
Drain-Source-Spannung max.	1000 V
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Serie	MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8,5 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	70 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	16 nC @ 10 V
Breite	2.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	6.9mm