STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STU2NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 1,85 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 168-7526
Herst. Teile-Nr.:: STU2NK100Z
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STU2NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 1,85 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Preis pro Stück (In einer Stange von 75)

2,378 €

(ohne MwSt.)

2,83 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
75 - 75	2,378 €	178,35 €
150 - 450	1,855 €	139,125 €
525 - 900	1,57 €	117,75 €
975 - 4950	1,308 €	98,10 €
5025 +	1,232 €	92,40 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-7526
Herst. Teile-Nr.:: STU2NK100Z
Marke:: STMicroelectronics

N-channel 1000 V, 6.25 Ohm, 1.85 A, DPAK Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1,85 A
Drain-Source-Spannung max.	1000 V
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Serie	MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8,5 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	70 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	2.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	16 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	6.9mm

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STU2NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 1,85 A 70 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

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