STMicroelectronics Einfach MDmesh K5, SuperMESH5 N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 800 V Erweiterung / 2.5 A 38 W, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
168-7111
Herst. Teile-Nr.:
STL4N80K5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Transistor-Konfiguration

Einfach

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Kabelkanaltyp

N

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.5 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

38 W

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

PowerFLAT

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

1.5 V

Höhe

950 μm

Länge

6.35 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.5 Ω

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-30 V, +30 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

10.5 nC

Breite

5.4 mm

Ursprungsland:
CN

N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics


MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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