- RS Best.-Nr.:
- 168-7617
- Herst. Teile-Nr.:
- STF38N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 21.07.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
4,188 €
(ohne MwSt.)
4,984 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
---|---|---|
50 - 50 | 4,188 € | 209,40 € |
100 - 200 | 3,407 € | 170,35 € |
250 + | 3,322 € | 166,10 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 168-7617
- Herst. Teile-Nr.:
- STF38N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics
Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 30 A |
Drain-Source-Spannung max. | 710 V |
Serie | MDmesh M5 |
Gehäusegröße | TO-220FP |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 95 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 35 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 4.6mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 10.4mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Höhe | 16.4mm |
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