STMicroelectronics MDmesh M5 STF38N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 710 V / 30 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

RS Best.-Nr.:: 168-7617
Herst. Teile-Nr.:: STF38N65M5
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M5 STF38N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 710 V / 30 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

Voraussichtlich ab 21.07.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

4,188 €

(ohne MwSt.)

4,984 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	4,188 €	209,40 €
100 - 200	3,407 €	170,35 €
250 +	3,322 €	166,10 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-7617
Herst. Teile-Nr.:: STF38N65M5
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	710 V
Serie	MDmesh M5
Gehäusegröße	TO-220FP
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	95 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	35 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	10.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	71 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	16.4mm