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    Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220

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    RS Best.-Nr.:
    168-7774
    Herst. Teile-Nr.:
    TK35E08N1
    Marke:
    Toshiba

    Ursprungsland:
    JP
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.55 A
    Drain-Source-Spannung max.80 V
    GehäusegrößeTO-220
    SerieTK
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.12,2 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Verlustleistung max.72 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Breite4.45mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge10.16mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs25 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Höhe15.1mm

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