SUD50P04-08-GE3 P-Kanal MOSFET, 40 V / 50 A, 73,5 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 169-5793
  • Herst. Teile-Nr. SUD50P04-08-GE3
  • Marke Vishay
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: TW
Produktdetails

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 50 A
Drain-Source-Spannung max. 40 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 10 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 73,5 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 6.22mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 2.38mm
Länge 6.73mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 106 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung 1.5V
Transistor-Werkstoff Si
Voraussichtlich ab 08.07.2020 verfügbar.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 2000)
0,656
(ohne MwSt.)
0,781
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +
0,656 €
1.312,00 €
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