ROHM RD3G03BATTL1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 223-6277
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G03BATTL1
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-252-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 35 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,191 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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