ROHM RD3L01BAT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 10 A 26 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

1.245,00 €

(ohne MwSt.)

1.482,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,498 €1.245,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
223-6280
Herst. Teile-Nr.:
RD3L01BATTL1
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RD3L01BAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

840mΩ

Channel-Modus

P

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

26W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.2nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-Free Plating

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-252-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebskreise möglich

Parallele Nutzung ist einfach

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

Verwandte Links