ROHM RD3L01BATTL1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 223-6280
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L01BATTL1
- Marke:
- ROHM
Voraussichtlich ab 29.10.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)
0,467 €
(ohne MwSt.)
0,556 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,467 € | 1.167,50 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 223-6280
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L01BATTL1
- Marke:
- ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-252-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,84 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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