ROHM RD3L08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-358
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L08BBJHRBTL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | RD3L08BBJHRB | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 145nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 142W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 10.50mm | |
| Breite | 6.8 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie RD3L08BBJHRB | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 145nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 142W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 10.50mm | ||
Breite 6.8 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-MOSFET von ROHM wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, die ein robustes Energiemanagement erfordern. Mit einer maximalen Nennspannung von -60 V und einer Strombelastbarkeit von ±80 A ist dieses Gerät für den Einsatz im Automobil- und Industriebereich geeignet. Es ist in einem TO-252-Gehäuse untergebracht und gewährleistet eine effiziente thermische Leistung mit einer Verlustleistung von bis zu 142 W. Der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand von 10,7 mΩ verbessert die Energieeffizienz und macht ihn zur idealen Wahl für energiebewusste Designs. Darüber hinaus ist es zu 100 % Avalanche-getestet und AEC-Q101-qualifiziert, was die Zuverlässigkeit in kritischen Anwendungen gewährleistet.
Optimiert für Effizienz mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand, der einen geringen Leistungsverlust gewährleistet
Robuste thermische Leistung ermöglicht den Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen mit einer maximalen Anschlusstemperatur von 175 °C
Geeignet für Hochstromanwendungen mit einer kontinuierlichen Ablassstromfähigkeit von ±80 A
AEC Q101 qualifiziert für Automobilanwendungen, um die Einhaltung strenger Qualitätsstandards zu gewährleisten
Gebohrte Bandverpackung erleichtert automatisierte Montageprozesse
Vollständig Avalanche-geschützt, was einen zuverlässigen Betrieb unter transienten Bedingungen garantiert
Pb-freie Beschichtung und RoHS-Konformität, die Umweltstandards für moderne elektronische Komponenten erfüllt
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