ROHM AG194FPD3HRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-353
- Herst. Teile-Nr.:
- AG194FPD3HRBTL
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | AG194FPD3HRB | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 142W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 10.50mm | |
| Breite | 6.80 mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie AG194FPD3HRB | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 142W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 10.50mm | ||
Breite 6.80 mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für Anwendungen entwickelt, die ein robustes Energiemanagement erfordern. Dieses Bauteil arbeitet mit maximal 100 V und kann Dauerströme bis zu 80 A verarbeiten. Es zeichnet sich durch einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand aus und minimiert so den Leistungsverlust in anspruchsvollen Automobilsystemen. Die bleifreie Beschichtung und die Einhaltung der RoHS-Normen gewährleisten sowohl Umweltsicherheit als auch Zuverlässigkeit. Das Gerät ist vollständig nach AEC-Q101 qualifiziert und eignet sich daher für Automobilanwendungen, bei denen Leistung und Widerstandsfähigkeit entscheidend sind. Mit einer Verlustleistung von 142 W und strengen Avalanche-Tests unterstützt dieser MOSFET einen zuverlässigen Betrieb in einer Vielzahl von Hochleistungsschaltungen.
Geringer Widerstand von 6,2 mΩ für mehr Effizienz
Ausgelegt für einen kontinuierlichen Ablassstrom von 80 A, geeignet für Anwendungen mit hoher Leistung
Mit einer Durchschlagsspannung von 100 V, die Robustheit gegen Spannungsspitzen bietet
AEC Q101 qualifiziert, um die Zuverlässigkeit in Automobilumgebungen zu gewährleisten
Lawinengeprüft, was einen sicheren Betrieb unter transienten Bedingungen ermöglicht
Pb-frei und RoHS-konform, in Übereinstimmung mit Umweltstandards
Ideal für Automobilsysteme, verbessert die Möglichkeiten des Energiemanagements
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