ROHM RD3E08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)

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RS Best.-Nr.:
687-362
Herst. Teile-Nr.:
RD3E08BBJHRBTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ P

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

TO-252 (TL)

Serie

RD3E08BBJHRB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

5 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

142W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.50mm

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Breite

6.8 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, die einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine hohe Strombelastbarkeit erfordern. Dieses robuste Gerät arbeitet mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von -30 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von ±80 A und gewährleistet eine effiziente Leistung in Energiemanagementsystemen. Seine innovative Konstruktion umfasst einen Wärmewiderstand von nur 1,05 °C/W, der die Zuverlässigkeit optimiert und eine effektive Wärmeableitung ermöglicht. Mit der AEC-Q101-Qualifikation eignet sich dieser MOSFET für Automobilanwendungen, die in Umgebungen mit extremen Temperaturschwankungen funktionieren und einen zuverlässigen Betrieb unter schwierigen Bedingungen gewährleisten.

Geringer Widerstand von 3,7 mΩ, erhöht die Effizienz und minimiert den Energieverlust

Impuls-Drain-Strom von ±160 A, geeignet für Anwendungen mit hoher Beanspruchung

Die Gate-Source-Spannung von +5/-20 V gewährleistet einen vielseitigen Betrieb und eine robuste Steuerung

Montage in einem DPAK-Gehäuse für effizientes Wärmemanagement und kompakte Grundfläche

Lawinengeprüft für verbesserte Zuverlässigkeit in elektrischen Umgebungen mit hoher Belastung

Das Produkt ist AEC Q101-qualifiziert und damit ideal für sicherheitskritische Automobilanwendungen.

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