ROHM RD3E07BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-470
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3E07BBJHRBTL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | RD3E07BBJHRB | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 77W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Breite | 6.8 mm | |
| Länge | 10.50mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie RD3E07BBJHRB | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 77W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Breite 6.8 mm | ||
Länge 10.50mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für hohe Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt. Mit einem maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von ±78 A und einer Durchschlagsspannung von -30 V ist dieser MOSFET ideal für den Einsatz in Automobil- und Industrieumgebungen, die eine hohe Effizienz erfordern. Sein kompaktes DPAK-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in verschiedene Designs, während sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 8,5 mΩ den Energieverlust erheblich reduziert. Das Produkt ist außerdem AEC-Q101-qualifiziert, was die Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen gewährleistet und es zu einer perfekten Wahl für Entwickler macht, die hochwertige und langlebige Komponenten für ihre elektronischen Anwendungen suchen.
Geringer Widerstand für verbesserte Effizienz und geringere Wärmeentwicklung
Bietet eine maximale Verlustleistung von 77 W für Anwendungen mit hoher Leistung
Entwickelt, um einem weiten Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C standzuhalten
AEC Q101 qualifiziert, um hohe Zuverlässigkeit für Automobilanwendungen zu gewährleisten
100 % Avalanche-Test für verbesserte Haltbarkeit unter Belastung
Erfüllt die Pb- und RoHS-Normen für eine umweltfreundliche Nutzung
Verpackt im DPAK-Format für einfache Montage und Integration
Unterstützt einen gepulsten Ablassstrom von ±156 A für dynamische Lastbedingungen.
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