ROHM RD3N045AT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 17 W, 3-Pin TO-252 (TL)

Der P-Kanal-MOSFET von ROHM wurde für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen entwickelt. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von -80 V und einer kontinuierlichen Ablassstromfähigkeit von -4,5 A bietet dieser MOSFET eine hervorragende elektrische Leistung für anspruchsvolle Umgebungen. Der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand von 650 mΩ maximiert den Wirkungsgrad und minimiert die Wärmeentwicklung, was zu einer überragenden Gesamtzuverlässigkeit beiträgt. Der RD3N045AT ist RoHS-konform und verfügt über ein robustes TO-252-Gehäuse, das sich ideal für Motorantriebe und andere Schaltanwendungen eignet und einen robusten Betrieb in Szenarien mit hoher Leistung gewährleistet. Das Gerät wird streng auf die Zuverlässigkeit des Gates geprüft und ist außerdem halogenfrei, was umweltfreundliche Praktiken unterstützt.

Niedriger Einschaltwiderstand von 650 mΩ erhöht die Effizienz und reduziert Leistungsverluste