ROHM RD3P08BBLHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-355
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P08BBLHRBTL
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3P08BBLHRB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 142W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.50mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Breite | 6.8 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie RD3P08BBLHRB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 142W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.50mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Breite 6.8 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für robuste Anwendungen entwickelt, die ein effizientes Schalten erfordern. Mit einer maximalen Nennspannung von 100 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von 80 A bietet dieses Bauteil ein zuverlässiges Energiemanagement. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von nur 6,2 mΩ sorgt für minimalen Energieverlust während des Betriebs, was für die Steigerung der Effizienz von Stromversorgungen entscheidend ist. Dieser MOSFET unterstützt eine Vielzahl von kommutierten Stromanwendungen und ist AEC-Q101-qualifiziert, wodurch er sich für Automobilumgebungen eignet. Sein kompaktes DPAK-Gehäuse ermöglicht eine verbesserte thermische Leistung bei beengten Platzverhältnissen.
Niedriger Widerstand erhöht die Energieeffizienz und reduziert die Wärmeentwicklung
100 V Drain-Source-Nennspannung unterstützt verschiedene Hochspannungsanwendungen
Der kontinuierliche Ablassstrom von 80 A ermöglicht eine zuverlässige Leistung unter schweren Lasten
AEC Q101 qualifiziert, um hohe Zuverlässigkeit für Automobilanwendungen zu gewährleisten
Kompaktes TO-252-Gehäuse für ein besseres Wärmemanagement und platzsparende Designs
Robuste Lawinenfestigkeit gewährleistet Sicherheit bei transienten Bedingungen
Hohe Verlustleistung von 142 W für anspruchsvolle Betriebsanforderungen
Pb-freie Beschichtung und RoHS-Konformität in Übereinstimmung mit umweltfreundlichen Praktiken
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