DiodesZetex DMG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage N-Kanal MOSFET Erweiterung 650 V / 4 A 8.35 W, 3-Pin ITO-220
- RS Best.-Nr.:
- 169-7185
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG9N65CTI
- Marke:
- DiodesZetex
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- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | N-Kanal MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | ITO-220 | |
| Serie | DMG | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 8.35W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 16.07mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Länge | 16.07mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ N-Kanal MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße ITO-220 | ||
Serie DMG | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 8.35W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 16.07mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Breite 4.9 mm | ||
Länge 16.07mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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