DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 9 A 13 W, 3-Pin ITO-220
- RS Best.-Nr.:
- 790-4574
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG9N65CTI
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 790-4574
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- DMG9N65CTI
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | ITO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,3 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Verlustleistung max. | 13 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 16.07mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 4.9mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 16.07mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße ITO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,3 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Verlustleistung max. 13 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 16.07mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 39 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 4.9mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 16.07mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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