Infineon CoolMOS CP IPP60R099CPXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 753-3046
Herst. Teile-Nr.:: IPP60R099CPXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS CP IPP60R099CPXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 753-3046
Herst. Teile-Nr.:: IPP60R099CPXKSA1
Marke:: Infineon

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Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	31 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	CoolMOS CP
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	99 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	255 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.36mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	60 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.57mm
Höhe	9.45mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C