Infineon CoolMOS CP N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
753-3046
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R099CPXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

31 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

CoolMOS CP

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

99 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

255 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.36mm

Breite

4.57mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Höhe

9.45mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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