Infineon CoolMOS CP IPB60R099CPAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 31 A 255 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
753-3002
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R099CPAATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

31 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

105 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

20V

Gate-Schwellenspannung min.

20V

Verlustleistung max.

255 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Breite

9.45mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.31mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Serie

CoolMOS CP

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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