Infineon CoolMOS CP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 753-3065
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R099CPFKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 255W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.13mm | |
| Breite | 5.21mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 255W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.13mm | ||
Breite 5.21mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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