Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 208 W, 3-Pin IPW60R125CPFKSA1 TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 897-7333
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R125CPFKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
4,86 €
(ohne MwSt.)
5,78 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 12. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2,43 € | 4,86 € |
| 10 - 18 | 2,21 € | 4,42 € |
| 20 - 48 | 2,065 € | 4,13 € |
| 50 - 98 | 1,92 € | 3,84 € |
| 100 + | 1,775 € | 3,55 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 897-7333
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R125CPFKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.21 mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal 3-Pin SPW20N60C3FKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal 3-Pin IPW60R099CPFKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal 3-Pin IPW60R165CPFKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal 3-Pin IPW60R045CPFKSA1 TO-247
