Infineon CoolMOS CP IPW60R125CPFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 25 A 208 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 145-8727
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R125CPFKSA1
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 17.02.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
4,802 €
(ohne MwSt.)
5,714 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 30 - 30 | 4,802 € | 144,06 € |
| 60 - 120 | 4,562 € | 136,86 € |
| 150 + | 4,274 € | 128,22 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 145-8727
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R125CPFKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 25 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Serie | CoolMOS CP |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 125 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V |
| Verlustleistung max. | 208 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Breite | 5.21mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 16.13mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 21.1mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 145-8727
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R125CPFKSA1
- Marke:
- Infineon
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