Infineon CoolMOS CP N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A 104 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
752-8356P
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R250CPATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Serie

CoolMOS CP

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

250 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

104 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

9.45mm

Länge

10.31mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

26 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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