Infineon CoolMOS CP N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A 104 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 752-8356P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R250CPATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 49 | 1,71 € |
| 50 - 99 | 1,57 € |
| 100 - 199 | 1,48 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 752-8356P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R250CPATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 250 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 104 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.31mm | |
| Breite | 9.45mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 250 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 104 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.31mm | ||
Breite 9.45mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 26 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 4.57mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.