Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31.2 A, 3-Pin IPB65R190C7ATMA2 TO-263

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RS Best.-Nr.:
222-4658
Herst. Teile-Nr.:
IPB65R190C7ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.

AEC Q101-zertifiziert

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