Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 129 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
217-2505
Herst. Teile-Nr.:
IPB65R095C7ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

129W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.45 mm

Länge

10.31mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS TM C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schaltenden Super Junction-MOSFETs mit besserer Effizienz, reduzierter Gate-Ladung, einfacher Implementierung und hervorragender Zuverlässigkeit.

Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit

Bessere Effizienz durch Best-in-Class FOMRDS(on) * Eoss und RDS(on) * Qg

Erstklassiger RDS(on)/Gehäuse

Einfach zu verwenden/zu treiben

Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse

Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)

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