Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 129 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

1.310,00 €

(ohne MwSt.)

1.560,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +1,31 €1.310,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
217-2509
Herst. Teile-Nr.:
IPB80N04S2H4ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Verlustleistung Pd

129W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.57mm

Breite

9.45 mm

Länge

10.31mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 40 V, N-Ch, max. 3,7 MΩ, Kfz-MOSFET, D2PAK, Optimo.

N-Kanal - Anreicherungstyp

Kfz AEC Q101 zugelassen

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Extrem niedriger RDS(on)

100 % Lawinenprüfung

Green Product (RoHS konform)

Verwandte Links