Infineon CoolMOS™ IPB60R080P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 37 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM R DS(on)xE oss DS(on)XQ G
ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)
Integrierter Torwiderstand R G.
Robuste Gehäusediode
Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen
Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich