Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 37 A 129 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

1.692,00 €

(ohne MwSt.)

2.013,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 11. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +1,692 €1.692,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
217-2503
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R080P7ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

37A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

129W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.57mm

Länge

10.31mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.45 mm

Automobilstandard

Nein

Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM R DS(on)xE oss DS(on)XQ G

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand R G.

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

Verwandte Links