Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 50 A, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

8,90 €

(ohne MwSt.)

10,59 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 795 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 98,90 €
10 - 248,46 €
25 - 498,10 €
50 - 997,75 €
100 +7,22 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4651
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R040C7ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS TM C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.

Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und Hochleistungs-LLC) Erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit bis 120 V/ns

Erhöhte Effizienz durch Best-in-Class-FOM RDS(on) * Eoss und RDS(on) * Qg

Erstklassiger RDS(on) /package

Verwandte Links