Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 129 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 217-2506
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R095C7ATMA2
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 217-2506
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- IPB65R095C7ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 129W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.31mm | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 129W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.31mm | ||
Breite 9.45 mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS TM C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schaltenden Super Junction-MOSFETs mit besserer Effizienz, reduzierter Gate-Ladung, einfacher Implementierung und hervorragender Zuverlässigkeit.
Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit
Bessere Effizienz durch Best-in-Class FOMRDS(on) * Eoss und RDS(on) * Qg
Erstklassiger RDS(on)/Gehäuse
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)
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