Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 70 A 129 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
217-2507
Herst. Teile-Nr.:
IPB70N10S312ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

129W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.57mm

Breite

9.45 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.31mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 100 V, N-Ch, max. 11,3 MΩ, Kfz-MOSFET, D2PAK, OptiMOS TM-T.

N-Kanal - Anreicherungstyp

Kfz AEC Q101 zugelassen

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Green Product (RoHS konform)

100 % Lawinenprüfung

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