Infineon CoolMOS C3 SPB11N60C3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 752-8473
Herst. Teile-Nr.:: SPB11N60C3ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS C3 SPB11N60C3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

999999 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.

999999 weitere lieferbar innerhalb 4 Werktag(e) (Mo-Fr).

Preis pro Stück

2,89 €

(ohne MwSt.)

3,44 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 - 9	2,89 €
10 +	2,45 €

RS Best.-Nr.:: 752-8473
Herst. Teile-Nr.:: SPB11N60C3ATMA1
Marke:: Infineon

SPB11N60C3, CoolMOS Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	CoolMOS C3
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	380 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.9V
Gate-Schwellenspannung min.	2.1V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	9.45mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.31mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	45 nC @ 10 V
Höhe	4.57mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon CoolMOS C3 SPB11N60C3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3

Verwandte Produkte