Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 33 W, 3-Pin TO-220 FP

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RS Best.-Nr.:
752-8467
Herst. Teile-Nr.:
SPA11N60C3XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

CoolMOS™ C3

Gehäusegröße

TO-220 FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

33 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

45 nC @ 10 V

Länge

10.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.85mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.83mm

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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