Infineon CoolMOS™ C3 SPA11N60C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 33 W, 3-Pin TO-220 FP

RS Best.-Nr.:: 752-8467
Herst. Teile-Nr.:: SPA11N60C3XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ C3 SPA11N60C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 33 W, 3-Pin TO-220 FP

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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

2,97 €

(ohne MwSt.)

3,53 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	2,97 €	5,94 €
20 - 48	2,645 €	5,29 €
50 - 98	2,465 €	4,93 €
100 - 198	2,315 €	4,63 €
200 +	2,14 €	4,28 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 752-8467
Herst. Teile-Nr.:: SPA11N60C3XKSA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-220 FP
Serie	CoolMOS™ C3
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	380 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.9V
Gate-Schwellenspannung min.	2.1V
Verlustleistung max.	33 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.85mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	45 nC @ 10 V
Länge	10.65mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	9.83mm