Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 47 A 415 W, 3-Pin SPW47N60C3FKSA1 TO-247

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

14,39 €

(ohne MwSt.)

17,12 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 11 Einheit(en) versandfertig
  • Zusätzlich 24 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 60 Einheit(en) mit Versand ab 09. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 414,39 €
5 - 913,67 €
10 - 2413,09 €
25 - 4912,51 €
50 +11,65 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
462-3455
Distrelec-Artikelnummer:
302-84-157
Herst. Teile-Nr.:
SPW47N60C3FKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

47A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS C3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

252nC

Maximale Verlustleistung Pd

415W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.9mm

Höhe

20.95mm

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

302-84-157

Infineon CoolMOS™ MOSFET der Serie C3, 47 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 415 W maximale Verlustleistung - SPW47N60C3FKSA1


Dieser Hochspannungs-MOSFET ist für Anwendungen in der Leistungselektronik konzipiert. Mit seiner N-Kanal-Konfiguration bietet er eine gleichbleibende Leistung in verschiedenen Umgebungen. Er kann einen Dauerstrom von 47 A verarbeiten und dient zahlreichen Industrie- und Automatisierungszwecken und gewährleistet Zuverlässigkeit und Effektivität bei Schaltaufgaben.

Eigenschaften und Vorteile


• Hohe Leistung mit einer maximalen Nennspannung von 650 V

• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 70 mΩ verbessert die Energieeffizienz

• Robuste Verlustleistung von 415 W unterstützt intensive Anwendungen

• Für den Erweiterungsmodus konfigurierte Kanäle ermöglichen eine verbesserte Kontrolle

• Entwickelt für die Durchsteckmontage zur einfachen Integration

Anwendungsbereich


• Geeignet für die Energieumwandlung in erneuerbare Energie

• Einsatz in Motorantriebsschaltungen zur Steigerung der Effizienz

• Einsatz in Energieverwaltungssystemen zur Erhöhung der Stabilität

Was ist der optimale Temperaturbereich für den Betrieb dieses Geräts?


Das Gerät arbeitet effizient zwischen -55°C und +150°C, was seine Zuverlässigkeit in unterschiedlichen Umgebungen erhöht.

Wie kann es in bestehende elektrische Systeme integriert werden?


Dieser MOSFET ist für die Durchsteckmontage konzipiert, wodurch er für eine einfache Integration mit Standard-Leiterplattenlayouts kompatibel ist.

Was sind die Sicherheitsaspekte bei der Verwendung dieses Bauteils?


Es muss unbedingt sichergestellt werden, dass die Gate-Source-Spannung zwischen -20V und +20V liegt, um Schäden während des Betriebs zu vermeiden und die Systemstabilität zu erhalten.

Für welche Art von Anwendungen ist eine so hohe Leistung erforderlich?


Anwendungen, die eine hohe Belastbarkeit erfordern, wie z. B. Motorsteuerungen, Systeme für erneuerbare Energien und Industrieautomation, profitieren von seinen robusten Leistungswerten.


Verwandte Links