Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 47 A 415 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 911-4849
- Herst. Teile-Nr.:
- SPW47N60C3FKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 47A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 415W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 252nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 20.95mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 47A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 415W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 252nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 20.95mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Infineon CoolMOS™ MOSFET der Serie C3, 47 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 415 W maximale Verlustleistung - SPW47N60C3FKSA1
Dieser Hochspannungs-MOSFET ist für Anwendungen in der Leistungselektronik konzipiert. Mit seiner N-Kanal-Konfiguration bietet er eine gleichbleibende Leistung in verschiedenen Umgebungen. Er kann einen Dauerstrom von 47 A verarbeiten und dient zahlreichen Industrie- und Automatisierungszwecken und gewährleistet Zuverlässigkeit und Effektivität bei Schaltaufgaben.
Eigenschaften und Vorteile
• Hohe Leistung mit einer maximalen Nennspannung von 650 V
• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 70 mΩ verbessert die Energieeffizienz
• Robuste Verlustleistung von 415 W unterstützt intensive Anwendungen
• Für den Erweiterungsmodus konfigurierte Kanäle ermöglichen eine verbesserte Kontrolle
• Entwickelt für die Durchsteckmontage zur einfachen Integration
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Energieumwandlung in erneuerbare Energie
• Einsatz in Motorantriebsschaltungen zur Steigerung der Effizienz
• Einsatz in Energieverwaltungssystemen zur Erhöhung der Stabilität
Was ist der optimale Temperaturbereich für den Betrieb dieses Geräts?
Das Gerät arbeitet effizient zwischen -55°C und +150°C, was seine Zuverlässigkeit in unterschiedlichen Umgebungen erhöht.
Wie kann es in bestehende elektrische Systeme integriert werden?
Dieser MOSFET ist für die Durchsteckmontage konzipiert, wodurch er für eine einfache Integration mit Standard-Leiterplattenlayouts kompatibel ist.
Was sind die Sicherheitsaspekte bei der Verwendung dieses Bauteils?
Es muss unbedingt sichergestellt werden, dass die Gate-Source-Spannung zwischen -20V und +20V liegt, um Schäden während des Betriebs zu vermeiden und die Systemstabilität zu erhalten.
Für welche Art von Anwendungen ist eine so hohe Leistung erforderlich?
Anwendungen, die eine hohe Belastbarkeit erfordern, wie z. B. Motorsteuerungen, Systeme für erneuerbare Energien und Industrieautomation, profitieren von seinen robusten Leistungswerten.
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