Infineon CoolMOS CP IPA60R199CPXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A 34 W, 3-Pin TO-220 FP

RS Best.-Nr.:: 897-7400
Herst. Teile-Nr.:: IPA60R199CPXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS CP IPA60R199CPXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A 34 W, 3-Pin TO-220 FP

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 4)

3,528 €

(ohne MwSt.)

4,198 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
4 - 16	3,528 €	14,112 €
20 - 36	3,35 €	13,40 €
40 - 96	3,21 €	12,84 €
100 - 196	2,998 €	11,992 €
200 +	2,823 €	11,292 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 897-7400
Herst. Teile-Nr.:: IPA60R199CPXKSA1
Marke:: Infineon

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Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	16 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	CoolMOS CP
Gehäusegröße	TO-220 FP
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	199 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	34 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	4.85mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.65mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	32 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	16.15mm