Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 192 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
145-8593
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R165CPFKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS CP

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

192W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.13mm

Breite

5.21 mm

Höhe

21.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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