Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 77.5 A 481 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
222-4720
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R041P6FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

77.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

170nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

481W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.21mm

Breite

21.1 mm

Länge

16.13mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

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